芯企业 | 矽力杰集成功率级DrMOS方案
更新时间：2022-12-23 12:00:00
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DrMOS 驱动电路与功率MOS集成化 —第 84 期 — 矽力杰 DrMOS 方案 SQ29663采用业界标准封装，芯片内部集成两个高性能的MOS和驱动及控制单元，通过优化设计的内部结构和驱动控制，能够实现高效率、高功率密度以及良好的散热性能。严密的控制和保护逻辑使其能轻松兼容主流的前级控制器，适用于CPU，GPU以及POL的电源设计。 SQ29663 16V/60A集成功率级DrMOS ◆ 60A连续电流输出能力， 80A峰值电流输出能力 ◆ VCC/VDRV/VBST 欠压保护 ◆ 开关频率可达1MHz ◆ 集成自举二极管 ◆ 兼容3.3V/5V PWM电平， 支持三态信号输入 ◆ 三态中自举电容充电功能 ◆ 5mV/A实时电流上报 ◆ 8mV/℃内部温度上报 ◆ 可编程的逐周期峰值限流和 谷值限流及故障上报 ◆ 负限流保护 ◆ 过热保护 ◆ 上管短路保护及故障上报 ◆ 业界标准的QFN5×6封装 典型应用 图1 SQ29663典型应用框图 SQ29663支持5V~16V的Vin电压范围。输入信号兼容3.3V/5V电平，支持三态信号以实现不同工作模式的控制。死区时间，传播延迟和驱动边沿的调整使其可以高效安全运行。 SQ29663内部集成了8mV/℃的温度传感器，通过TMON实时报告温度，25℃下典型输出电压为800mV，TMON内部可上拉或下拉用作故障标志位。SQ29663可以实时采样内部MOSFET的电流信息并重建为与电感电流成正比的三角波，内建的温度补偿使其能达到5mV/A ±5%的精度输出。SQ29663支持包括OCP，NOCP，OTP，pre-OVP，HSS等多种保护，以实现安全可靠运行。 图2 IMON waveform 图3 IMON精度曲线 应用场景 CPU/GPU 传统的供电设计，是将上行MOS管、下行MOS管和驱动IC单独放置，致使PCB面积难以得到有效利用，并且降低电流的整体转换效率，这对于对供电要求越来越高的处理器而言，演化而成一个亟待解决的问题。 笔记本电脑、各类服务器的CPU以及显卡GPU的供电系统（VRM），输出电流大，要求具有快速瞬态响应特性，通常采用多相同步BUCK降压转换器。SQ29663通过高集成整合，将MOS管与驱动IC整合在一起，集成自举二极管，最大程度减少寄生电感、电容影响，降低系统整体尺寸，大幅提高功率密度，满足高端主板节能、低温、高效能超频等特色，提供优质供电。 矽力杰致力于为您提供全球最优的模拟芯片解决方案，其他方案敬请继续关注。 矽力杰官网： http://www.silergy.com 地址： 杭州市滨江区联慧街6号矽力杰大厦 联系电话： +86-571-87759971
来源：矽力杰半导体
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