芯资讯丨“杭州芯火壹号”HX001芯片正式发布
更新时间：2021-12-21 12:00:00
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2021年12月17日下午，杭州国家“芯火”平台在杭州市滨江区海外高层次人才创新创业基地隆重举行“杭州芯火壹号”HX001芯片鉴定暨产品发布会，正式宣告杭州国家“芯火”的第一颗芯片——超大窗口阻变随机存储器芯片的诞生。该芯片是杭州国家“芯火”双创平台共性技术研究的一部分，由杭州国家“芯火”双创平台与浙江大学微纳电子学院协同开发完成。
“杭州芯火壹号”HX001芯片
“杭州芯火壹号”HX001芯片的阻变器件选择插层结构，采用双层或多层的插层结构来固定导电细丝在电极、插层和阻变层界面处的位置，制备Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni结构，来有效地减少阻变器件的阻变参数的离散性。具有Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni结构的阻变器件不需要Forming操作，从而有效提高忆阻器的窗口，存储窗口可大于106，并减少了对器件的后端集成。同时，采用十字交叉阵列将单元面积做到40F2，大大提高了阻变器件的集成密度。
▲杭州芯火壹号“HX001”
经浙江科正电子信息产品检验有限公司和闳康技术检测（上海）有限公司对“杭州芯火壹号”的功能和性能检测，检测报告显示：HX001芯片的工作电压小于5V；所读取的忆阻器阻值窗口远大于106；在150℃环境下，分别在1s，30s，100s，300s，1000s，3000s时加约0.1V小电压对忆阻器进行数据保持特性测试，忆阻器均能保持电阻阻值稳定；根据模型外推忆阻器所存储的数据可在150℃环境温度下保持10年以上；忆阻器单元面积小于40F2。
目前，已申请一项国家发明专利。
芯片鉴定会
杭州国家“芯火”平台的“杭州芯火壹号”HX001芯片鉴定会由浙江省半导体行业协会组织，组长由浙江省半导体行业协会特别顾问陈光磊担任，成员包括杭州电子科技大学教授程知群、浙江大学副教授屈万园、杭州朗迅科技有限公司技术总监徐守政和浙江省半导体行业协会副秘书长金晓玲。
鉴定专家组听取了项目负责人的汇报，并审阅了项目相关资料，经质询投票，一致认为超大窗口阻变随机存储器芯片项目符合成果鉴定要求，予以鉴定通过。
▲鉴定会现场
产品发布仪式
在鉴定专家的见证下，杭州国家“芯火”双创平台简朴而隆重地举行了“杭州芯火壹号”HX001芯片的发布仪式。
▲杭州芯火壹号“HX001”发布仪式
目前，“HX001”芯片已经多家单位评测试用，用户均认为该芯片产品具有较好的存储特性和可靠性，优于市场同类产品，具有较好的市场应用前景。
路漫漫其修远兮，吾将上下而求索。杭州国家“芯火”双创平台将不忘初心，砥砺前行，持续推进产业链协同创新，联合行业企业与高校等科研机构开展共性关键技术研发，促进集成电路产业链优化升级。
芯火小课堂——什么是忆阻器？
忆阻器（Memoristor）是表示磁通与电荷关系的电路器件。阻变式存储器（RRAM）是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。作为阻变式存储器芯片一个重要的电子元件，忆阻器的电阻会随外加电压的高低而变化。RRAM将比闪存更快记忆信息，消耗更少电力，占用更少空间。
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